什么叫SiC功率器件？
什么叫SiC功率器件？
- SiC半導體
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導體材料。其絕緣擊穿場強度是Si的10倍，禁帶寬度是Si的3倍，基于這些優(yōu)勢，SiC作為一種超越Si極限的功率元器件材料被寄予厚望。 - SiC SBD
使用SiC可以通過具有高速特點的器件結(jié)構(gòu)——SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)實現(xiàn)600V以上的高耐壓二極管。因此，用SiC SBD替換FRD（快速恢復二極管），能夠顯著減少反向恢復損耗。 - SiC-MOSFET
SiC器件的漂移層電阻比Si器件低，因此可以通過具有高速器件結(jié)構(gòu)特點的MOSFET同時實現(xiàn)高耐壓和低阻值。 - SiC功率模塊
搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的SiC功率模塊可顯著降低由IGBT的尾電流和FRD的反向恢復電流引起的開關(guān)損耗。
